Nanoscale Transistors Lecture 4: MOS Electrostatics
Nanoscale Transistors Lecture 4: MOS Electrostatics
-
1. Lecture 4: MOS Electrostatics
0
00:00/00:00
-
2. understanding MOSFETs
50.06666666666667
00:00/00:00
-
3. 1D MOS electrostatics
65.566666666666663
00:00/00:00
-
4. 1D MOS electrostatics
91.4
00:00/00:00
-
5. "flat band conditions"
112.96666666666667
00:00/00:00
-
6. positive gate voltage
213.66666666666666
00:00/00:00
-
7. depletion charge
313.06666666666666
00:00/00:00
-
8. mobile charge
427.3
00:00/00:00
-
9. onset of inversion
599.13333333333333
00:00/00:00
-
10. gate voltage – mobile charge…
715.66666666666663
00:00/00:00
-
11. subthreshold charge vs. gate v…
819.23333333333335
00:00/00:00
-
12. subthreshold charge vs. gate v…
924.1
00:00/00:00
-
13. subthreshold charge vs. gate v…
1008.3666666666667
00:00/00:00
-
14. subthreshold charge vs. gate v…
1099.2
00:00/00:00
-
15. above threshold charge vs. gat…
1160
00:00/00:00
-
16. above threshold charge vs. gat…
1273.7333333333334
00:00/00:00
-
17. re-cap
1376.5333333333333
00:00/00:00
-
18. channel charge vs. gate voltag…
1442.8333333333333
00:00/00:00
-
19. channel charge vs. gate voltag…
1495.1333333333334
00:00/00:00
-
20. 2D electrostatics
1544.4333333333334
00:00/00:00
-
21. "well-tempered MOSFET"
1610.1
00:00/00:00
-
22. 2D MOS electrostatics
1664.8333333333333
00:00/00:00
-
23. nanoMOS simulations
1724
00:00/00:00
-
24. geometric scaling length, Λ
1777.5666666666666
00:00/00:00
-
25. non-planar MOSFETs
1874.9333333333334
00:00/00:00
-
26. barrier lowering
1894.3
00:00/00:00
-
27. no barrier lowering no DIB…
1946.1666666666667
00:00/00:00
-
28. barrier lowering
1967.4666666666667
00:00/00:00
-
29. barrier lowering increases cur…
2002.7666666666667
00:00/00:00
-
30. summary
2037.7333333333334
00:00/00:00
-
31. references
2105.2666666666669
00:00/00:00