Nanoscale Transistors Lecture 10: Scattering Model
Nanoscale Transistors Lecture 10: Scattering Model
-
1. Lecture 10: Scattering Model
0
00:00/00:00
-
2. Landauer approach to transport
28.9
00:00/00:00
-
3. ballistic MOSFET (MB)
84.466666666666669
00:00/00:00
-
4. transmission
117.5
00:00/00:00
-
5. scattering: linear region
188.06666666666666
00:00/00:00
-
6. example
234.03333333333333
00:00/00:00
-
7. ballistic MOSFET (MB)
338.43333333333334
00:00/00:00
-
8. on-current and transmission
358.93333333333334
00:00/00:00
-
9. ballistic MOSFET (MB)
633.4
00:00/00:00
-
10. recall: ETSOI MOSFET
689.86666666666667
00:00/00:00
-
11. transmission under low and hig…
728.33333333333337
00:00/00:00
-
12. scattering under high VDS
823.1
00:00/00:00
-
13. operation near the "ballistic …
1122.4333333333334
00:00/00:00
-
14. is mobility relevant at the na…
1185.4
00:00/00:00
-
15. connection to traditional mode…
1300.4333333333334
00:00/00:00
-
16. connection to traditional mode…
1443.1
00:00/00:00
-
17. connection to traditional mode…
1513.1666666666667
00:00/00:00
-
18. current transmission in a MOSF…
1577.4333333333334
00:00/00:00
-
19. VS model for the MOSFET
1774.3
00:00/00:00
-
20. a more physical VS model for a…
1810.2333333333334
00:00/00:00
-
21. wrap-up
1827.1666666666667
00:00/00:00
-
22. references
1867.5666666666666
00:00/00:00